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年度(民國年) 105 領域 綠能科技
執行單位 中科院化學研究所
技術名稱 一種在多晶氮化鋁基板上製作高深寬比圖案的方法
計畫名稱 ICT應用關鍵材料及元件技術開發計畫
技術現況敘述
(中文)		 本發明藉由使用一能量束在阻障層上直接製作圖案，再利用電漿蝕刻的方式蝕刻氮化鋁基板，可快速地、有效地製作一具有高深寬比圖案之氮化鋁基板。
技術現況敘述
(英文)		 A method of forming a pattern with high aspect ratio on a polycrystalline aluminum nitride substrate comprises the steps of: (A) providing an aluminum nitride substrate and forming a barrier layer on the aluminum nitride substrate; (B) etching the barrier layer with an energy beam to form at least one recess in the barrier layer; (C) plasma etching the substrate to deepen the recess into the aluminum nitride substrate; (D) removing the barrier layer to obtain the aluminum nitride substrate having at least one pattern with high aspect ratio. The present invention uses the energy beam to directly form a pattern on the barrier layer. The present invention further employs plasma etching to prepare the aluminum nitride substrate having a pattern with high aspect ratio quickly and effectively.
技術規格 微穿孔製程，可快速地、有效地製作一具有高深寬比圖案之氮化鋁基板。
技術成熟度 實驗室階段
潛力預估 透過開發氮化鋁中介層技術可解決現今薄型化3DIC先進導通孔電路製程與封裝技術中遇到之漏電、雜訊、高頻干擾、熱源集中等問題，並滿足未來市場於高頻通訊元件、高功率模組等薄型化、高效率、智慧多功能以及低成本之多重需求。
可應用範圍 可應用於高頻通訊元件、高功率模組等：另外將有助於開發綠能關鍵元件，如LED、高功率照明等，並提升元件的信賴度。
所需軟硬體設備 黃光室、雷射、乾濕蝕刻以及濺鍍機台。
須具備之專業人才 化學、半導體相關人才。
聯絡人員 郭養國 電子信箱 ykkuo2002@yahoo.com.tw
電話 03-4712201#358271 傳真 03-4116381
參考網址 http://www.ncsist.org.tw/csistdup/main/Default.aspx